DDR4 Samsung Electronics, lider mondial in tehnologia avansata de memorie, a anuntat cu cateva zile in urma ca si-a extins portofoliul DDR5 DRAM cu primul modul DDR5 de 512 GB din industrie, bazat pe tehnologia de proces High-K Metal Gate (HKMG).
Oferind pana la 7200 megabiti pe secunda, mai mult decat dublul performantei DDR4, noul DDR5 va fi capabil sa orchestreze cele mai avide computere si incarcari de lucru cu latime de banda ridicata in supercomputere, inteligenta artificiala si invatare (ML), precum si aplicatii de analiza a datelor.
„Samsung este singura companie de semiconductori cu capacitati de memorie si expertiza care incorporeaza tehologia de logica de ultima generatie HKMG in dezvoltarea produselor de memorie”, a declarat Young-Soo Sohn, vicepresedinte de memorie DRAM.
„Prin incorporarea acestui tip de inovatie de proces in productia DRAM, suntem capabili sa oferim clientilor nostri solutii de memorie performante, dar cu putere redusa, pentru a alimenta computerele necesare cercetarii medicale, pietelor financiare, conducerii autonome, oraselor. Pe msur ce cantitatea de date pentru a muta, stoca ai procesa create exponential, tranzitia la DDR5 vine intr-un punct critic de inflexiune pentru centrele de date cloud, retea ei implementqri marginale”, a spus Carolyn Duran.
Noua memorie va folosi, de asemenea, cu aproximativ 13% mai putina energie, facandu-l mai potrivit pentru centrele de date in care eficienta energetica devine din ce in ce mai critica. Procesul HKMG a fost adoptat in memoria GDDR6 de la Samsung in 2018, pentru prima data in industrie.
Prin extinderea utilizarii sale in DDR5, Samsung isi consolideaza in continuare pozitia de lider in tehnologia DRAM de generatie viitoare. Folosind tehnologia de transfer de siliciu (TSV), DDR5 de la Samsung stivuieste opt straturi de cipuri DRAM de 16 GB pentru a oferi 512 GB. TSV a fost utilizat pentru prima data in DRAM în 2014, cand Samsung a introdus module de server cu o capacitate de pana la 256 GB.